從結(jié)構(gòu)上說，光敏電阻它具有一個(gè)水平體，該水平體暴露在光下，對光敏感。如同其他的電阻，比如熱敏電阻對熱量敏感，壓敏電阻對電壓敏感。

光敏電阻的基本結(jié)構(gòu)如下所示：

有源半導(dǎo)體區(qū)域通常沉積在半絕緣襯底上，并且有源區(qū)域通常是輕摻雜的。

在許多分立的光致抗蝕劑器件中，使用叉指圖案來增加光致抗蝕劑暴露于光的面積。在有源區(qū)表面上的金屬化層中切割出圖案，從而使光通過。兩個(gè)金屬化區(qū)域充當(dāng)電阻器的兩個(gè)觸點(diǎn)。該面積必須做得較大，因?yàn)榕c活動區(qū)域的接觸的電阻需要*小化。

光阻結(jié)構(gòu)顯示叉指圖案以*大化暴露面積。

這種類型的結(jié)構(gòu)廣泛用于看到的許多小型光敏電阻或光敏電阻。叉指模式是很容易辨認(rèn)的。

用于光致抗蝕劑的材料是半導(dǎo)體，并且包括諸如CdSe，CdS，CdTe，InSb，InP，PbS，PbSe，Ge，Is，GaAs的材料。每種材料在靈敏度等方面均具有不同的屬性。

考慮到使用鎘的環(huán)境問題，該材料在歐洲不用于產(chǎn)品。

光敏電阻的類型

光敏電阻器，LDR或光敏電阻屬于以下兩種類型或類別之一：

本征光敏電阻：   本征光敏電阻使用未摻雜的半導(dǎo)體材料，包括硅或鍺。光子落在LDR上激發(fā)電子將其從價(jià)帶移動到導(dǎo)帶。結(jié)果，這些電子自由導(dǎo)電。落在設(shè)備上的光越多，釋放的電子就越??多，電導(dǎo)率也越高，這導(dǎo)致電阻值越低。

非本征光敏電阻：   非本征光敏電阻是由半導(dǎo)體中摻雜雜質(zhì)的材料制成的。這些雜質(zhì)或摻雜劑在現(xiàn)有價(jià)帶之上產(chǎn)生了一個(gè)新的能帶。結(jié)果，由于較小的能隙，電子需要較少的能量來轉(zhuǎn)移到導(dǎo)帶。

不管光敏電阻器或光敏電阻器的類型如何，這兩種類型都隨入射光水平的提高而顯示出電導(dǎo)率的增加或電阻的下降。

光敏電阻頻率依賴性

示出了光敏電阻的靈敏度隨影響器件的敏感區(qū)域的光的波長而變化。該效果非常明顯，并且發(fā)現(xiàn)如果波長在給定范圍之外，則沒有明顯的效果。

由不同材料制成的設(shè)備對不同波長的光有不同的響應(yīng)，這意味著不同的電子組件可用于不同的應(yīng)用。

還發(fā)現(xiàn)，非本征光致抗蝕劑傾向于對更長波長的光更敏感，并且可以用于紅外。但是，在使用紅外光時(shí)，必須注意避免產(chǎn)生熱量，但是會產(chǎn)生輻射的消光效果。